Создан новый метод выращивания субнанометровых транзисторов

Группа под руководством директора Института фундаментальных наук Джо Мун Хо впервые разработала новый метод выращивания субнанометровых транзисторов. Используя эпитаксиальный рост, они разработали металлические 1D-материалы с шириной менее 1 нм, создав новую структуру для полупроводниковых логических 2D-схем. ferra.ru »